Microchip 1N6461-1N6468系列：500W军用级瞬态电压抑制器(TVS)

发布时间：2025-02-27 09:29:14     浏览：344

　　Microchip 的 1N6461-1N6468 系列是 500 W 无空腔密封单向瞬态电压抑制器(TVS)，专为高可靠性应用设计，符合 MIL-PRF-19500/551 军用标准。

Microchip 1N6461-1N6468系列：500W军用级瞬态电压抑制器(TVS)

　　

 TypeMinimum
Breakdown
Voltage?
V(Bey at I(aR)		Breakdown
   Current
    l(BR)		Rated
Standoff
Voltage
VwM		Maximum
Standby
Current
lp at VRwM		Maximum
Clamping
Voltage?
Vcat lpp		Maximum
Peak Pulse
Current?
lpp		Maximum
Temp.Coef.
    of
  V(BR)
  Cv(BR)

at 8/20
μs		at 10/1000
   μs

VmAV(pk)μAV(pk)A(pk)  A(pk)%/℃
1N64615.6 25 5 3000 9.0 315 56 0.03,+0.045
1N64626.5 20 6 2500 11.0 258 46 +0.060 
1N646313.6 5 12 500 22.6 125 22 +0.085 
1N646416.4 5 15 500 26.5 107 19 +0.085 
1N646527.0 2 24 50 41.4 69 12 +0.096 
1N646633.0 1 30.5 3 47.5 63 11 +0.098 
1N646743.7 1 40.3 2 63.5 45 8 +0.101 
1N646854.0 1 51.6 2 78.5 35 6 +0.103 

      产品特点

　　高可靠性：

　　无空腔密封硬玻璃外壳，内部采用“Category 1”冶金连接。

　　工作峰值电压(VWM)范围为 5.0 V 至 51.6 V。

　　峰值脉冲功率(PPP)为 500 W。

　　双层钝化保护。

　　符合 MIL-PRF-19500/551 的 JAN、JANTX 和 JANTXV 等级。

　　电气特性：

　　8/20 ?s 波形下的峰值脉冲电流(IPP)范围为 6 A 至 315 A。

　　10/1000 ?s 波形下的钳制电压(VC)范围为 9.0 V 至 78.5 V。

　　反向漏电流(ID)小于 3000 ?A。

　　封装形式：

　　提供轴向引脚封装和表面贴装 MELF 封装。

　　封装材料为硬玻璃，具有良好的密封性和耐久性。

　　环境适应性：

　　工作温度范围为 -55°C 至 +175°C。

　　符合 RoHS 标准(仅商业级)。

　　应用场景

　　军事和高可靠性应用：适用于对可靠性要求极高的场景。

　　ESD 和 EFT 保护：符合 IEC61000-4-2 和 IEC61000-4-4 标准。

　　防雷保护：能够抵御雷电引起的二次效应。

　　工业应用：如传感器信号线、MOSFET 保护等。

Microsemi 是美国高可靠性电子元器件厂商，其军级二三级管产品，被广泛应用于全球高端市场，深圳市3118云顶集团创展科技有限公司，授权代理销售Microsemi军级二三级产品，大量原装现货，欢迎咨询。

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