SD11906/SD11907/SD11956和SD11957 1200V碳化硅SiC半桥功率模块

发布时间：2024-02-20 11:46:51     浏览：752

　　Solitron Devices 推出的 SD11906、SD11907、SD11956 和 SD11957 1200V 碳化硅 (SiC) 半桥功率模块，以最大限度地发挥 SiC 的优势，具有独特的稳健、简单且具有成本效益的模块格式。37mm x 25mm x 9mm 的外形只是竞争模块尺寸和重量的一小部分。这种集成格式可最大限度地提高功率密度，同时通过引脚配置将环路电感降至最低，从而实现简单的电源总线。

SD11906/SD11907/SD11956和SD11957 1200V 碳化硅SiC半桥功率模块

　　SD11906/07/56/57 是半桥配置，具有两个 1200V、低电阻DS(开)13mΩ SiC MOSFET。SD11906和SD11956具有续流 1200V SiC 肖特基二极管，与模块内部的 MOSFET 并联。引脚配置将电源总线与栅极和源控制分开，以简化电路板布局。

　　该系列专为要求苛刻的应用而设计，例如基于航空电子设备的机电执行器和功率转换器。工作温度为 -55°C 至 175°C，结构包括铜基板和氮化铝绝缘体，确保 TCE 匹配和高热传递。隔离式集成温度传感可在SD11906和SD11907上提供高水平的温度保护。

　　与同类最佳的硅MOSFET和IGBT相比，碳化硅具有出色的开关性能，且随温度的变化最小。由于能量损失和反向充电显著降低，效率水平比硅更高，因此在打开和关闭阶段需要的开关功率更高，所需的能量更少。结合高开关频率，这意味着磁性元件更小，大大减轻了系统重量和尺寸。

相关产品推荐：

Solitron宽温金属封装MOS管SD11702-650V 

Solitron宽温金属封装碳化硅二级管SD11800–1200V

更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询3118云顶集团创展。

上一篇: 可编程器件SPLD、CPLD、FPGA

下一篇: Lattice莱迪思ispMACH 4000V/Z系列低功耗超快CPLD解决方案

推荐资讯

  • Vishay BRCPA9500BKGHWS薄膜条形MOS电容器
    Vishay BRCPA9500BKGHWS薄膜条形MOS电容器 2024-10-22 08:57:02

    Vishay BRCP系列薄膜条形MOS电容器采用坚固MOS结构，具有低介电损耗和高Q值，支持多种线焊点，A型外壳最少7个焊点，B型外壳最少15个焊点，且负载寿命稳定性出色。其关键优势包括绝对容差低至±5%，温度系数低至±50ppm/°C。应用领域广泛，包括混合组装、滤波器、射频阻断、阻抗匹配和高频/高功率应用。电气规格涵盖电容范围5-100pF，工作温度-55至+150°C，最大工作电压100V。机械规格方面，芯片基板为硅，介质为二氧化硅，顶部覆盖层为至少1微米厚的金，外壳尺寸和焊盘数量符合特定要求。

  • Linear Systems LSK489低电容双N沟道JFET
    Linear Systems LSK489低电容双N沟道JFET 2024-01-30 08:49:52

    Linear Systems推出的LSK489低噪声、低电容双N沟道JFET，专为所有(音频和非音频)低噪声应用而设计。

在线留言

在线留言