Solitron Devices SD11714 1200V SiC N沟道功率MOSFET

发布时间：2025-05-29 09:00:32     浏览：910

　　Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ，采用TO-257 3引脚封装，低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(QG)，具有雪崩能力，气密封装，适用于高可靠性应用。

Solitron Devices SD11714 1200V SiC N沟道功率MOSFET

　　主要参数

　　漏源电压(VDS)：1200V

　　连续漏极电流(ID)：25°C时为17A

　　导通电阻(RDS(on))：25°C时为160mΩ

　　栅极阈值电压(VGS(th))：1.8V~3.6V

　　最大功耗(PD)：97W

　　工作温度(TJ)：-55°C~+175°C

　　体二极管特性

　　正向电压(VSD)：4.25V

　　反向恢复时间(trr)：34ns

　　反向恢复电荷(Qrr)：197nC

　　应用领域

　　开关电源

　　DC-DC转换器

　　PFC电路

　　电机驱动

　　机器人控制

更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询3118云顶集团创展。

上一篇: DATEL ADC-HZ12BGC传统模数转换器

下一篇: GAMMA LXR30系列高压电源1-50KV

推荐资讯

  • O08-T-25000X-C-D-B-3-R-X时钟振荡器PDI
    O08-T-25000X-C-D-B-3-R-X时钟振荡器PDI 2024-07-30 09:15:45

    PDI O08系列时钟振荡器，尺寸13x13x5.6毫米，DIP8封装，频率0.03至200 MHz，支持TTL/CMOS等多种输出，频率稳定性±25至100 ppm，工作温度0至+125°C，供电电压1.8至5.0V，适用于原型及大规模生产。

  • Renesas射频放大器
    Renesas射频放大器 2022-06-17 16:55:12

    Renesas?供应差分或单端输入电阻的射频放大器，具有多种增益、噪声因素和线性性能。这款产品选用创新性Zero-Distortion?技术工艺，可线形低电流损耗的高输出IP3，明显强于单增益模块放大器。

在线留言

在线留言